用户手册
BIANGXIN/BIANGXIN20241230125151
仓库范围 忆阻器模型库
简介：该模型包括1T1R，2T2R，宏模型及其仿真文件
基础模型库企业应用验证电气工程
介绍 模型 文件 依赖 版本

CIM电路模型库

简介

CIM电路模型库介绍。

使用说明

  1. comp为基础单元，包括了等效MOS管，RRAM，ADC，1T1R和2T2R。
  2. stru为阵列，包含1T1R阵列和2T2R阵列。
  3. tb为仿真文件，有所有的测试案例。
  4. scripts为脚本文件，用于生成大规模的1T1R/2T2R宏模型。

1T1R、2T2R使用方法

  1. 首先打开comp/NMOS_EQ和comp/2bit/RRAM_2bit(等效MOS管和2bit RRAM)。
  2. 再打开所需要使用的忆阻器器件comp/2bit/CIM_2b_1T1R_T(CIM_2b_2T2R_T)，效果如下图所示。
    image.png
  3. 给输入电压至Vin，导通电压至gate，在out1-out4处接电流表。仿真忆阻器器件工作状态。
  4. 同时提供仿真例程tb/tb_CIM_2b_1T1R_T(tb_CIM_2b_2T2R_T)。

宏模型阵列使用方法

  1. 和1T1R、2T2R使用方法的第一、二步一样。
  2. 打开stru/2bit/T_CIM_2b_Array_xxx，如下图所示。
    image.png
  3. BL处接入输入电压，WL处接入导通电压，out11-out164接电流表，仿真宏模型计算结果。
  4. 宏模型还补充有ADC模块，打开comp/ADC_4channel和comp/ADC_single_channel。将ADC的四个接口接到对应输出的out1-out4上，可以得到对应的数字量结果，如下图所示。
    image.png
  5. 提供仿真例程tb/tb_CIM_2b_Array_1T1R_4_4和tb/tb_CIM_2b_Array_2T2R_4_4。

版本说明

V0.0.1，2024-12-30 00:52

  • 初始版本

使用许可

本模型库版权由BIANGXIN版权所有，未经许可，不得用于商业用途。